3D NAND（立体堆叠 NAND）
垂直堆叠式 NAND，突破平面 NAND 的密度上限。堆叠层数从 64 层一路向 400 层演进，是 NAND Flash 在 AI 时代继续提密的核心路径（据2-04）。
∈ belongs_to::2-04-存储体系
是什么
3D NAND（三星电子 称 V-NAND）通过把存储单元在垂直方向堆叠，绕开了平面 NAND 制程逼近物理极限的难题 — 既增加单 die 容量，也降低单 GB 成本。
堆叠层数代际演进
| 代际 | 层数 | 量产期 |
|---|---|---|
| 早期 | 64 | 2017 |
| 中期 | 96 | 2018 |
| 当前主流 | 176 | 2021 |
| 上一代旗舰 | 232 | 2023 |
| 下一代旗舰 | 400 层 | 2026 H2（三星电子 率先） |
| 远期目标 | 1,000 层 | 2030 |
数据综合 据2-04。
玩家进展
- 三星电子 — 率先开发 400 层 NAND，2026 H2 量产
- 长江存储 — Xtacking 架构创新（晶圆混合键合分离 NAND 阵列与逻辑电路），跟进 400 层路线
- SK海力士 / 铠侠 — 紧追 232 层量产，向 400 层切换
关键工艺
- 混合键合 — 400 层及以上层数堆叠的必备工艺
- 高深宽比刻蚀 — 通孔均匀度决定良率
- 栅极电荷捕获 — 替代浮栅，单元间串扰更低